Številka izdelka proizvajalca:
IPD122N10N3GATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD122N10N3GATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 100 V 59A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Zaloga:
29796 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12800494
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD122N10N3GATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
59A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
12.2mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 46µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2500 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
94W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD122
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPD122N10N3GATMA1DKR
IPD122N10N3GATMA1TR
SP001127828
IPD122N10N3GATMA1CT
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BUZ31
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
IPD90N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
IPB180N04S302ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
