Številka izdelka proizvajalca:
IPD50N04S4L08ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD50N04S4L08ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Zaloga:
23056 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12803699
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD50N04S4L08ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
50A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
7.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 17µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks)
+20V, -16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2340 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
46W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3-313
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD50
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPD50N04S4L08ATMA1TR
2156-IPD50N04S4L08ATMA1
IPD50N04S4L-08
IPD50N04S4L08ATMA1DKR
SP000711456
IPD50N04S4L-08-DG
INFINFIPD50N04S4L08ATMA1
IPD50N04S4L08ATMA1CT
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD25CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
IRF2907ZPBF
MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB
IRF9317PBF
MOSFET P-CH 30V 16A 8SO