Številka izdelka proizvajalca:
IPD60R600P7SE8228AUMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD60R600P7SE8228AUMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Zaloga:
2486 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12851276
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
TBsA
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD60R600P7SE8228AUMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™ P7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 80µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
363 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
30W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD60R
Dodatne informacije
Druga imena
SP002367810
448-IPD60R600P7SE8228AUMA1DKR
448-IPD60R600P7SE8228AUMA1CT
IPD60R600P7SE8228AUMA1-DG
448-IPD60R600P7SE8228AUMA1TR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPD60R600P7SAUMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
9704
ŠTEVILKA DELA
IPD60R600P7SAUMA1-DG
CENA ENOTE
0.25
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDC654P
MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6
R6511ENJTL
MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
IAUS300N08S5N012ATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
