Številka izdelka proizvajalca:
IPD65R250E6XTMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD65R250E6XTMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 650 V 16.1A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Zaloga:
12803183
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD65R250E6XTMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
CoolMOS™ E6
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
16.1A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
250mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 400µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
950 pF @ 1000 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
208W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD65R
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IPD65R250E6XTMA1DKR
IPD65R250E6XTMA1TR
2156-IPD65R250E6XTMA1
ROCINFIPD65R250E6XTMA1
IPD65R250E6XTMA1CT
SP000898656
IPD65R250E6XTMA1-DG
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPD65R225C7ATMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
3863
ŠTEVILKA DELA
IPD65R225C7ATMA1-DG
CENA ENOTE
1.04
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF7834TRPBF
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
IPI100N08S207AKSA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
IPSA70R1K4P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
