Številka izdelka proizvajalca:
IPD70R600P7SAUMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD70R600P7SAUMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 700 V 8.5A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Zaloga:
12894 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12810205
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD70R600P7SAUMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™ P7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
700 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
600mOhm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 90µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
364 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
43W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD70
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPD70R600P7SAUMA1CT
IPD70R600P7SAUMA1TR
SP001491636
IPD70R600P7SAUMA1DKR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
3 (168 Hours)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF100P219XKMA1
MOSFET N-CH 100V TO247AC
TN0106N3-G-P013
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
VP0550N3-G
MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3
