Številka izdelka proizvajalca:
IPD80P03P4L07ATMA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD80P03P4L07ATMA2-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
Podroben opis:
P-Channel 30 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Zaloga:
15227 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12948673
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD80P03P4L07ATMA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS®-P2
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
80A (Tc)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6.8mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 130µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (maks)
+5V, -16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5700 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
88W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3-11
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD80P03
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
448-IPD80P03P4L07ATMA2CT
448-IPD80P03P4L07ATMA2DKR
SP002325740
448-IPD80P03P4L07ATMA2TR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB180P04P403ATMA2
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
IPB120P04P404ATMA2
MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
IPD90P03P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31