Številka izdelka proizvajalca:
IPD80R1K4CEATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD80R1K4CEATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 800 V 3.9A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Zaloga:
12801213
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD80R1K4CEATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3.9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.9V @ 240µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
570 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
63W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD80R1
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SP001130972
IPD80R1K4CEATMA1-DG
IPD80R1K4CEATMA1TR
IPD80R1K4CEATMA1CT
IPD80R1K4CEATMA1DKR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STD5N62K3
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
2481
ŠTEVILKA DELA
STD5N62K3-DG
CENA ENOTE
0.42
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPI90R500C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3
BSP613P
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
IPD70N10S312ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
