Številka izdelka proizvajalca:
IPD90N06S4L06ATMA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPD90N06S4L06ATMA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Podroben opis:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Zaloga:
3430 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12804675
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPD90N06S4L06ATMA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
90A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6.3mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 40µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5680 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
79W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO252-3-11
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IPD90
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPD90N06S4L06ATMA2-DG
448-IPD90N06S4L06ATMA2CT
SP001028682
448-IPD90N06S4L06ATMA2DKR
2156-IPD90N06S4L06ATMA2
INFINFIPD90N06S4L06ATMA2
448-IPD90N06S4L06ATMA2TR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFH7187TRPBF
MOSFET N-CH 100V 18A/105A 8PQFN
IPB60R199CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3
IRF1407STRLPBF
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK