Številka izdelka proizvajalca:
IPDQ60R022S7AXTMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPDQ60R022S7AXTMA1-DG
Opis:
MOSFET
Podroben opis:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 416W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1
Zaloga:
750 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13371948
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
9lXJ
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPDQ60R022S7AXTMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Stanje dela
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
24A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
12V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
22mOhm @ 23A, 12V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 1.44mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
150 nC @ 12 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5640 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
416W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-HDSOP-22-1
Paket / Primer
22-PowerBSOP Module
Osnovna številka izdelka
IPDQ60R
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
448-IPDQ60R022S7AXTMA1CT
SP002373870
448-IPDQ60R022S7AXTMA1TR
448-IPDQ60R022S7AXTMA1DKR
Standardni paket
750
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TQM070NH04CR RLG
40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
G130N06S
MOSFET N-CH 60V 9A SOP-8
IPQC65R017CFD7XTMA1
HIGH POWER_NEW
