Številka izdelka proizvajalca:
IPI045N10N3GXKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPI045N10N3GXKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Podroben opis:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Zaloga:
894 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13064090
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPI045N10N3GXKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
OptiMOS™
Pakiranje
Tube
Stanje dela
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 150µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
8410 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
214W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO262-3
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
IPI045
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IFEINFIPI045N10N3GXKSA1
SP000683068
IPI045N10N3 G-ND
2156-IPI045N10N3GXKSA1
IPI045N10N3G
IPI045N10N3 G
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB08CN10N G
MOSFET N-CH 100V 95A D2PAK
IPW90R120C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
IRF5305L
MOSFET P-CH 55V 31A TO262
