Številka izdelka proizvajalca:
IPL65R340CFDAUMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPL65R340CFDAUMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 10.9A THIN-PAK
Podroben opis:
N-Channel 650 V 10.9A (Tc) 104.2W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Zaloga:
12803711
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPL65R340CFDAUMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10.9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
340mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 400µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1100 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
104.2W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-VSON-4
Paket / Primer
4-PowerTSFN
Osnovna številka izdelka
IPL65R340
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
2156-IPL65R340CFDAUMA1
SP000949258
ROCINFIPL65R340CFDAUMA1
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
2A (4 Weeks)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFS3306TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IRFP150N
MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
IRFL4105
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
