Številka izdelka proizvajalca:
IPN50R1K4CEATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPN50R1K4CEATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
Podroben opis:
N-Channel 500 V 4.8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Zaloga:
17419 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12803223
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPN50R1K4CEATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™ CE
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4.8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
13V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 900mA, 13V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 70µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
178 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
5W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-SOT223-3
Paket / Primer
TO-261-4, TO-261AA
Osnovna številka izdelka
IPN50R1
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
2156-IPN50R1K4CEATMA1-448
IPN50R1K4CEATMA1-DG
IPN50R1K4CEATMA1TR
IPN50R1K4CEATMA1CT
SP001460674
IPN50R1K4CEATMA1DKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPI076N15N5AKSA1
MV POWER MOS
IPB029N06N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IPT020N10N3ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
