Številka izdelka proizvajalca:
IPP90R500C3
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPP90R500C3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 900 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Zaloga:
12804189
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
F9uF
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPP90R500C3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
900 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
500mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 740µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1700 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
156W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IPP90R
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IFEINFIPP90R500C3
2156-IPP90R500C3-IT
SP000413746
Standardni paket
1
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD60N10S412ATMA1
MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
IRF100P218XKMA1
MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
IRFH4209DTRPBF
MOSFET N-CH 25V 44A/260A PQFN
