Številka izdelka proizvajalca:
IPP90R800C3XKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPP90R800C3XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 900 V 6.9A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Zaloga:
12803413
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPP90R800C3XKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
900 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6.9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
800mOhm @ 4.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 460µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1100 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
104W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3-1
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IPP90R
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SP000413748
SP000683102
IPP90R800C3
IPP90R800C3-DG
IFEINFIPP90R800C3XKSA1
2156-IPP90R800C3XKSA1
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPP90R800C3XKSA2
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
500
ŠTEVILKA DELA
IPP90R800C3XKSA2-DG
CENA ENOTE
1.05
VRSTA NADOMESTILA
Direct
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD50R399CPATMA1
LOW POWER_LEGACY
IPA70R900P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 6A TO220
IPC218N04N3X7SA1
MV POWER MOS