Številka izdelka proizvajalca:
IPS80R2K4P7AKMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPS80R2K4P7AKMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Podroben opis:
N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Zaloga:
12804805
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPS80R2K4P7AKMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™ P7
Stanje izdelka
Last Time Buy
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.4Ohm @ 800mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 40µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
150 pF @ 500 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
22W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO251-3
Paket / Primer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovna številka izdelka
IPS80R2
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SP001644624
IFEINFIPS80R2K4P7AKMA1
2156-IPS80R2K4P7AKMA1
Standardni paket
1,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPU80R2K4P7AKMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
1339
ŠTEVILKA DELA
IPU80R2K4P7AKMA1-DG
CENA ENOTE
0.29
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFB3607GPBF
MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
IRFI520N
MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220AB FP
IRF3805SPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
