Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
IPU80R2K4P7AKMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPU80R2K4P7AKMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Podroben opis:
N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Zaloga:
1339 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12805414
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPU80R2K4P7AKMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™ P7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.4Ohm @ 800mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 40µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
150 pF @ 500 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
22W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO251-3
Paket / Primer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovna številka izdelka
IPU80R2
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
IPU80R2K4P7
HTML tehnični list
IPU80R2K4P7AKMA1-DG
Tehnični listi
IPU80R2K4P7AKMA1
Dodatne informacije
Druga imena
2156-IPU80R2K4P7AKMA1
SP001644612
IFEINFIPU80R2K4P7AKMA1
Standardni paket
1,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPS80R2K4P7AKMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IPS80R2K4P7AKMA1-DG
CENA ENOTE
0.37
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
ŠTEVILO DELA
STD4NK60Z-1
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
35
ŠTEVILKA DELA
STD4NK60Z-1-DG
CENA ENOTE
0.28
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFHM7194TRPBF
MOSFET N-CH 100V 9.3A/34A 8PQFN
IRL3705ZPBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
IPI70N04S406AKSA1
MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3
IRLR8721TRPBF
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK