Številka izdelka proizvajalca:
IPSA70R750P7SAKMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPSA70R750P7SAKMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3
Podroben opis:
N-Channel 700 V 6.5A (Tc) 34.7W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Zaloga:
260 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12805774
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
DbJK
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPSA70R750P7SAKMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™ P7
Stanje izdelka
Last Time Buy
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
700 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
750mOhm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 70µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
8.3 nC @ 400 V
Vgs (maks)
±16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
306 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
34.7W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO251-3
Paket / Primer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovna številka izdelka
IPSA70
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
2156-IPSA70R750P7SAKMA1
IFEINFIPSA70R750P7SAKMA1
SP001664796
IPSA70R750P7S
Standardni paket
1,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPS70R360P7SAKMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
2881
ŠTEVILKA DELA
IPS70R360P7SAKMA1-DG
CENA ENOTE
0.38
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF5805TR
MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
IRLR2905PBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IRF7453TRPBF
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO