Številka izdelka proizvajalca:
IPTG111N20NM3FDATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPTG111N20NM3FDATMA1-DG
Opis:
TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Podroben opis:
N-Channel 200 V 10.8A (Ta), 108A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
Zaloga:
36 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12959072
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPTG111N20NM3FDATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™ 3
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10.8A (Ta), 108A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
11.1mOhm @ 96A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 267µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
7000 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.8W (Ta), 375W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-HSOG-8-1
Paket / Primer
8-PowerSMD, Gull Wing
Osnovna številka izdelka
IPTG111N
Tehnični list in dokumenti
Dokumenti o zanesljivosti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP005431194
448-IPTG111N20NM3FDATMA1DKR
448-IPTG111N20NM3FDATMA1CT
448-IPTG111N20NM3FDATMA1TR
Standardni paket
1,800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SIR450DP-T1-RE3
N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
SUM90100E-GE3
N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P
IPTC014N08NM5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 37A/330A HDSOP
