Številka izdelka proizvajalca:
IQD005N04NM6CGATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IQD005N04NM6CGATMA1-DG
Opis:
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Podroben opis:
N-Channel 40 V 58A (Ta), 610A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-U02
Zaloga:
4930 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12943342
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IQD005N04NM6CGATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™ 6
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
58A (Ta), 610A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
0.47mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.8V @ 1.449mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
161 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
12000 pF @ 20 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3W (Ta), 333W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TTFN-9-U02
Paket / Primer
9-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
IQD005
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
448-IQD005N04NM6CGATMA1TR
448-IQD005N04NM6CGATMA1CT
448-IQD005N04NM6CGATMA1DKR
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IQD016N08NM5CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
STP50N60DM6
MOSFET N-CH 600V 36A TO220
STN6N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2
