Številka izdelka proizvajalca:
IRF1104PBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF1104PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Zaloga:
8447 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12822445
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF1104PBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2900 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
170W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IRF1104
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
2156-IRF1104PBF
SP001570050
*IRF1104PBF
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
PH9930L,115
MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK56
IRFS4227TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
MMIX1F420N10T
MOSFET N-CH 100V 334A 24SMPD
