Številka izdelka proizvajalca:
IRF2805PBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF2805PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Zaloga:
8388 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12804893
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF2805PBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
55 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
75A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.7mOhm @ 104A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5110 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
330W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IRF2805
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SP001559506
*IRF2805PBF
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF7402TR
MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO
IPW60R041P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
IPP04N03LA
MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
