Številka izdelka proizvajalca:
IRF3610STRLPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF3610STRLPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 100 V 103A (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Zaloga:
200 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12804803
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF3610STRLPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
103A (Tc)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
11.6mOhm @ 62A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5380 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IRF3610
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IRF3610STRLPBFDKR
IRF3610STRLPBFTR
2156-IRF3610STRLPBF-448
IRF3610STRLPBFCT
SP001574654
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
HUFA75645S3S
PROIZVAJALEC
Fairchild Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
1228
ŠTEVILKA DELA
HUFA75645S3S-DG
CENA ENOTE
2.35
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPS65R950C6AKMA1
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
IPS80R2K4P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
IRFB3607GPBF
MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
