Številka izdelka proizvajalca:
IRF630NL
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF630NL-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO262
Podroben opis:
N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Through Hole TO-262
Zaloga:
12804520
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF630NL Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9.3A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
300mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
575 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
82W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-262
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
*IRF630NL
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
RCX120N25
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
RCX120N25-DG
CENA ENOTE
1.05
VRSTA NADOMESTILA
Direct
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF9Z24NS
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
IRF7233TRPBF
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
IRF1010NPBF
MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB