Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
IRF7807ZTRPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF7807ZTRPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Podroben opis:
N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Zaloga:
4903 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12804545
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF7807ZTRPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Not For New Designs
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
13.8mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.25V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
770 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SO
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovna številka izdelka
IRF7807
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
IRF7807ZPbF
HTML tehnični list
IRF7807ZTRPBF-DG
Tehnični listi
IRF7807ZTRPBF
Dodatne informacije
Druga imena
IRF7807ZTRPBFTR-DG
SP001570494
IRF7807ZTRPBF-DG
IRF7807ZPBFCT
IRF7807ZPBFDKR
IRF7807ZPBFTR
*IRF7807ZTRPBF
Standardni paket
4,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FDS8878
PROIZVAJALEC
Fairchild Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
570614
ŠTEVILKA DELA
FDS8878-DG
CENA ENOTE
0.20
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
SI4890DY-T1-E3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
2500
ŠTEVILKA DELA
SI4890DY-T1-E3-DG
CENA ENOTE
1.10
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
FDS6690A
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
4652
ŠTEVILKA DELA
FDS6690A-DG
CENA ENOTE
0.24
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
DMN3016LSS-13
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
14193
ŠTEVILKA DELA
DMN3016LSS-13-DG
CENA ENOTE
0.14
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFZ46NSPBF
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
IRFR9024NTRL
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
IRF7471TRPBF
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
IPB04N03LA
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3