Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
SI4890DY-T1-E3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SI4890DY-T1-E3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Podroben opis:
N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
2500 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13057717
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI4890DY-T1-E3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serije
TrenchFET®
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Stanje dela
Last Time Buy
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
12mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
800mV @ 250µA (Min)
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±25V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovna številka izdelka
SI4890
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
SI4890DY
Dodatne informacije
Druga imena
SI4890DY-T1-E3TR
SI4890DYT1E3
SI4890DY-T1-E3DKR
SI4890DY-T1-E3CT
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FDS8878
PROIZVAJALEC
Fairchild Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
570614
ŠTEVILKA DELA
FDS8878-DG
CENA ENOTE
0.20
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
RS3E075ATTB
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
10581
ŠTEVILKA DELA
RS3E075ATTB-DG
CENA ENOTE
0.26
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
FDS6690A
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
4652
ŠTEVILKA DELA
FDS6690A-DG
CENA ENOTE
0.24
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
RRU1LAM4STR
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
3081
ŠTEVILKA DELA
RRU1LAM4STR-DG
CENA ENOTE
0.11
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
DMN3016LSS-13
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
14193
ŠTEVILKA DELA
DMN3016LSS-13-DG
CENA ENOTE
0.14
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SI7748DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
SI7439DP-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
SISS12DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
SI7818DN-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8