Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
DR Kongo
Argentina
Turčija
Romunija
Litva
Norveška
Avstrija
Angola
Slovaška
ltaly
Finska
Belorusija
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Črna gora
Ruščina
Belgija
Švedska
Srbija
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Moldavija
Nemčija
Nizozemska
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
Francija
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Portugalska
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Španija
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
IRF8113
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF8113-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Podroben opis:
N-Channel 30 V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12804048
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF8113 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
17.2A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5.6mOhm @ 17.2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
36 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2910 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SO
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
IRF8113-DG
Tehnični listi
IRF8113
Dodatne informacije
Druga imena
*IRF8113
Standardni paket
95
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
RXH125N03TB1
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
RXH125N03TB1-DG
CENA ENOTE
0.44
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
FDS8870
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
2621
ŠTEVILKA DELA
FDS8870-DG
CENA ENOTE
0.66
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
AO4430
PROIZVAJALEC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
8910
ŠTEVILKA DELA
AO4430-DG
CENA ENOTE
0.33
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IRF8113TRPBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
1665
ŠTEVILKA DELA
IRF8113TRPBF-DG
CENA ENOTE
0.27
VRSTA NADOMESTILA
Direct
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF300P226
MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC
IPN95R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
IPA80R1K4P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F
IRFR3710ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK