Številka izdelka proizvajalca:
IRF9Z34NLPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF9Z34NLPBF-DG
Opis:
MOSFET P-CH 55V 19A TO262
Podroben opis:
P-Channel 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Through Hole TO-262
Zaloga:
12805099
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF9Z34NLPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
55 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
19A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
100mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
620 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-262
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SP001570616
*IRF9Z34NLPBF
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF3415PBF
MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
IPSA70R1K4CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251-3
IRF3706
MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB
