Številka izdelka proizvajalca:
IRFP3077PBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRFP3077PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 75V 120A TO247AC
Podroben opis:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 340W (Tc) Through Hole TO-247AC
Zaloga:
1151 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12803927
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRFP3077PBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
75 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
120A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.3mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
9400 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
340W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247AC
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IRFP3077
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
448-IRFP3077PBF
SP001566982
IRFP3077PBF-DG
Standardni paket
25
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPW60R017C7XKSA1
HIGH POWER_NEW
IPB083N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
IPW65R190C6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
