Številka izdelka proizvajalca:
IRFSL7530PBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRFSL7530PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 195A TO262
Podroben opis:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-262
Zaloga:
12805266
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRFSL7530PBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®, StrongIRFET™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
195A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.7V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
411 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
13703 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
375W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-262
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
IRFSL7530
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SP001565198
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPI024N06N3GXKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IPI024N06N3GXKSA1-DG
CENA ENOTE
1.35
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
PSMN2R0-60ES,127
PROIZVAJALEC
NXP Semiconductors
KOLIČINA NA VOLJO
7334
ŠTEVILKA DELA
PSMN2R0-60ES,127-DG
CENA ENOTE
1.30
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD40DP06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 4.3A TO252-3
IRLR8113TR
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
IRFH8337TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN