Številka izdelka proizvajalca:
IRL3102STRLPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRL3102STRLPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 20 V 61A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D2PAK
Zaloga:
12806057
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRL3102STRLPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
61A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 7V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
13mOhm @ 37A, 7V
vgs(th) (maks) @ id
700mV @ 250µA (Min)
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
58 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2500 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
89W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
D2PAK
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tehnični list in dokumenti
Viri za oblikovanje
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF6665TRPBF
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
ISP75DP06LMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT223-4
IRF3704ZCSTRRP
MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK