Številka izdelka proizvajalca:
SPB10N10
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
SPB10N10-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3
Podroben opis:
N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Zaloga:
12807541
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SPB10N10 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
SIPMOS®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10.3A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
170mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 21µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
19.4 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
426 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
50W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3-2
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
SPB10N
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SPB10N10T
SP000013845
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRLL014NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRLL024ZPBF
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
IRFR3412TRPBF
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
