Številka izdelka proizvajalca:
SPB80P06P
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
SPB80P06P-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Podroben opis:
P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Zaloga:
12807080
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SPB80P06P Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
SIPMOS®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
80A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
23mOhm @ 64A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 5.5mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
173 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5033 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
340W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3-2
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
SPB80P
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP000012841
SPB80P06PT
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
SPB80P06PGATMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
41
ŠTEVILKA DELA
SPB80P06PGATMA1-DG
CENA ENOTE
1.96
VRSTA NADOMESTILA
Direct
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
IRL5602STRR
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
IRFSL3107PBF
MOSFET N-CH 75V 195A TO262
