Številka izdelka proizvajalca:
IXFH60N65X2
Product Overview
Proizvajalec:
IXYS
DiGi Electronics Številka dela:
IXFH60N65X2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Podroben opis:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Zaloga:
12820282
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IXFH60N65X2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
HiPerFET™, Ultra X2
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
60A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
52mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5.5V @ 4mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
6180 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
780W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247 (IXTH)
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IXFH60
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
IXFH60N65X2X-DG
IXFH60N65X2XINACTIVE
IXFH60N65X2X
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPW60R060P7XKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
60
ŠTEVILKA DELA
IPW60R060P7XKSA1-DG
CENA ENOTE
3.01
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IXTP14N60PM
MOSFET N-CH 600V 7A TO220
IXFB170N30P
MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264
IXFX150N15
MOSFET N-CH 150V 150A PLUS247
