IXFH6N120P
Številka izdelka proizvajalca:

IXFH6N120P

Product Overview

Proizvajalec:

IXYS

DiGi Electronics Številka dela:

IXFH6N120P-DG

Opis:

MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD
Podroben opis:
N-Channel 1200 V 6A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)

Zaloga:

282 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12905410
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IXFH6N120P Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
HiPerFET™, Polar
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2830 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
250W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247AD (IXFH)
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IXFH6

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
IXF(A,P,H)6N120P
HTML tehnični list
IXFH6N120P-DG
Tehnični listi
IXFH6N120P

Dodatne informacije

Standardni paket
30

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
diodes

ZXMN2A01E6TA

MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6

diodes

ZXMP10A18KTC

MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3

vishay-siliconix

IRFU014PBF

MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA

diodes

ZXMP10A16KTC

MOSFET P-CH 100V 3A TO252-3