Številka izdelka proizvajalca:
IXFN160N30T
Product Overview
Proizvajalec:
IXYS
DiGi Electronics Številka dela:
IXFN160N30T-DG
Opis:
MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
Podroben opis:
N-Channel 300 V 130A (Tc) 900W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Zaloga:
12820002
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IXFN160N30T Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
HiPerFET™, Trench
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
300 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
130A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
19mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 8mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
335 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
28000 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
900W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Chassis Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-227B
Paket / Primer
SOT-227-4, miniBLOC
Osnovna številka izdelka
IXFN160
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
10
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IXFN26N90
MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
IXTH2N300P3HV
MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV
IXFN80N50Q3
MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B