IXTH3N100P
Številka izdelka proizvajalca:

IXTH3N100P

Product Overview

Proizvajalec:

IXYS

DiGi Electronics Številka dela:

IXTH3N100P-DG

Opis:

MOSFET N-CH 1000V 3A TO247
Podroben opis:
N-Channel 1000 V 3A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu
12821649
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IXTH3N100P Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
Polar
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1000 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.8Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1100 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247 (IXTH)
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IXTH3

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list
IXTH3N100P-DG
Tehnični listi
IXTH3N100P
Podatkovni listi
IXT(A,H,P)3N100P Building, Home Automation Appl Guide

Dodatne informacije

Standardni paket
30

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
littelfuse

IXFN34N100

MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B

littelfuse

IXTH60N10

MOSFET N-CH 100V 60A TO247

littelfuse

IXTT140N10P

MOSFET N-CH 100V 140A TO268

littelfuse

IXTC13N50

MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220