Številka izdelka proizvajalca:
IXTP2N80
Product Overview
Proizvajalec:
IXYS
DiGi Electronics Številka dela:
IXTP2N80-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 2A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220-3
Zaloga:
12821033
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IXTP2N80 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6.2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
440 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
54W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IXTP2
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IXFT80N65X2HV
MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV
IXTR102N65X2
MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
IXFA22N60P3
MOSFET N-CH 600V 22A TO263AA
