Številka izdelka proizvajalca:
APT7M120S
Product Overview
Proizvajalec:
Microchip Technology
DiGi Electronics Številka dela:
APT7M120S-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK
Podroben opis:
N-Channel 1200 V 8A (Tc) 335W (Tc) Surface Mount D3Pak
Zaloga:
13248125
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
APT7M120S Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Microchip Technology
Pakiranje
Bulk
Serije
POWER MOS 8™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.1Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2565 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
335W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
D3Pak
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
APT7M120
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Standardni paket
1
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IXTT6N120
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
267
ŠTEVILKA DELA
IXTT6N120-DG
CENA ENOTE
7.33
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
APT5010JVRU3
MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
APT58M80J
MOSFET N-CH 800V 60A SOT227
APT50M65B2FLLG
MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
