Številka izdelka proizvajalca:
TN5335K1-G
Product Overview
Proizvajalec:
Microchip Technology
DiGi Electronics Številka dela:
TN5335K1-G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23
Podroben opis:
N-Channel 350 V 110mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
Zaloga:
4112 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12810184
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TN5335K1-G Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Microchip Technology
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
350 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
110mA (Tj)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
3V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
15Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 1mA
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
110 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
360mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-23 (TO-236AB)
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovna številka izdelka
TN5335
Tehnični list in dokumenti
Sklop/izvor PCN
Podatkovni listi
Zasnova/specifikacija PCN
Dodatne informacije
Druga imena
TN5335K1-GTR
TN5335K1-GCT
TN5335K1-GDKR
TN5335K1-G-DG
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD70R600P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
IRF100P219XKMA1
MOSFET N-CH 100V TO247AC
TN0106N3-G-P013
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3