Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
PMGD290XN,115
Product Overview
Proizvajalec:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Številka dela:
PMGD290XN,115-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Podroben opis:
Mosfet Array 20V 860mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP
Zaloga:
57783 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12829455
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
PMGD290XN,115 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Nexperia
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchMOS™
Stanje izdelka
Not For New Designs
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
20V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
860mA
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
350mOhm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
0.72nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
34pF @ 20V
Moč - največja
410mW
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket naprav dobavitelja
6-TSSOP
Osnovna številka izdelka
PMGD290
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
PMGD290XN
HTML tehnični list
PMGD290XN,115-DG
Tehnični listi
PMGD290XN,115
Dodatne informacije
Druga imena
568-2366-1-DG
568-2366-1
568-2366-2
5202-PMGD290XN,115TR
1727-3126-6
934057731115
1727-3126-2
PMGD290XN115
568-2366-2-DG
PMGD290XN T/R
1727-3126-1
568-2366-6-DG
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
NTJD4401NT1G
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
28537
ŠTEVILKA DELA
NTJD4401NT1G-DG
CENA ENOTE
0.07
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
BSD235NH6327XTSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
82078
ŠTEVILKA DELA
BSD235NH6327XTSA1-DG
CENA ENOTE
0.08
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
NVJD4401NT1G
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
50299
ŠTEVILKA DELA
NVJD4401NT1G-DG
CENA ENOTE
0.16
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
FDG6317NZ
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
3996
ŠTEVILKA DELA
FDG6317NZ-DG
CENA ENOTE
0.07
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
BSD840NH6327XTSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
54248
ŠTEVILKA DELA
BSD840NH6327XTSA1-DG
CENA ENOTE
0.06
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BUK9K25-40EX
MOSFET 2N-CH 40V 18.2A LFPAK56D
PMDPB56XNEAX
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6DFN
BUK7K32-100EX
MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56D
BUK7K6R2-40EX
MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D