Številka izdelka proizvajalca:
FCB125N65S3
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FCB125N65S3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Podroben opis:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 181W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
800 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12938392
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FCB125N65S3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
SuperFET® III
Stanje izdelka
Not For New Designs
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
24A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
125mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 590µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1940 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
181W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
FCB125
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
488-FCB125N65S3CT
488-FCB125N65S3TR
488-FCB125N65S3DKR
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
NVB125N65S3
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
800
ŠTEVILKA DELA
NVB125N65S3-DG
CENA ENOTE
1.73
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
2SK3900-ZP-E1-AZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
RJL5012DPP-00#T2
N-CHANNEL POWER MOSFET
NTBG160N120SC1
SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
