Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
FCH165N60E
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FCH165N60E-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3
Podroben opis:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247-3
Zaloga:
473 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12850444
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FCH165N60E Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tube
Serije
SuperFET® II
Stanje izdelka
Not For New Designs
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
23A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
165mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2434 pF @ 380 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
227W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247-3
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
FCH165
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
FCH165N60E
HTML tehnični list
FCH165N60E-DG
Tehnični listi
FCH165N60E
Dodatne informacije
Druga imena
FCH165N60E-DG
FCH165N60EOS
2156-FCH165N60E
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPW60R180C7XKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
218
ŠTEVILKA DELA
IPW60R180C7XKSA1-DG
CENA ENOTE
1.58
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
SIHG22N60AE-GE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
SIHG22N60AE-GE3-DG
CENA ENOTE
1.64
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
APT34M60B
PROIZVAJALEC
Microchip Technology
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
APT34M60B-DG
CENA ENOTE
11.84
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
SIHG22N60E-GE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
498
ŠTEVILKA DELA
SIHG22N60E-GE3-DG
CENA ENOTE
1.88
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IPW60R190P6FKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
164
ŠTEVILKA DELA
IPW60R190P6FKSA1-DG
CENA ENOTE
1.45
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDB8442-F085
MOSFET N-CH 40V 28A TO263AB
HUF75652G3
MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3
BSP125 E6327
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
FQPF10N50CF
MOSFET N-CH 500V 10A TO220F