FDB2710
Številka izdelka proizvajalca:

FDB2710

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDB2710-DG

Opis:

MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 250 V 50A (Tc) 260W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Zaloga:

101 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12837241
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FDB2710 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
250 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
50A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
42.5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
101 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
7280 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
260W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
FDB271

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
FDB2710TR
FDB2710CT
FDB2710DKR
Standardni paket
800

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
IRF540NSTRLPBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
7309
ŠTEVILKA DELA
IRF540NSTRLPBF-DG
CENA ENOTE
0.52
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
onsemi

CPH6442-TL-E

MOSFET N-CH 60V 6A 6CPH

onsemi

FQP2N30

MOSFET N-CH 300V 2.1A TO220-3

onsemi

FDMS86181E

FET 100V 4.2 MOHM PQFN56

onsemi

FQD4P40TM

MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK