Številka izdelka proizvajalca:
FDC6302P
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDC6302P-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 25V 0.120A SSOT6
Podroben opis:
Mosfet Array 25V 120mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Zaloga:
12836886
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDC6302P Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 P-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
25V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
120mA
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
10Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
0.31nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
11pF @ 10V
Moč - največja
700mW
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket naprav dobavitelja
SuperSOT™-6
Osnovna številka izdelka
FDC6302
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
FDC6302PDKR
2832-FDC6302PTR
FDC6302P-DG
FDC6302PCT
FDC6302PTR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
NTJD4152PT1G
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
15411
ŠTEVILKA DELA
NTJD4152PT1G-DG
CENA ENOTE
0.10
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDMS1D2N03DSD
MOSFET 2N-CH 30V 19A/70A 8PQFN
FDMS3604AS
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
FDS6984S
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
