FDC6302P
Številka izdelka proizvajalca:

FDC6302P

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDC6302P-DG

Opis:

MOSFET 2P-CH 25V 0.120A SSOT6
Podroben opis:
Mosfet Array 25V 120mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6

Zaloga:

12836886
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FDC6302P Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 P-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
25V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
120mA
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
10Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
0.31nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
11pF @ 10V
Moč - največja
700mW
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket naprav dobavitelja
SuperSOT™-6
Osnovna številka izdelka
FDC6302

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
FDC6302PDKR
2832-FDC6302PTR
FDC6302P-DG
FDC6302PCT
FDC6302PTR
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
NTJD4152PT1G
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
15411
ŠTEVILKA DELA
NTJD4152PT1G-DG
CENA ENOTE
0.10
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
onsemi

FDMS1D2N03DSD

MOSFET 2N-CH 30V 19A/70A 8PQFN

onsemi

FDMS3604AS

MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56

onsemi

FDS6984S

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC

onsemi

ECH8652-TL-H

MOSFET 2P-CH 12V 6A 8ECH