Številka izdelka proizvajalca:
FDC645N
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDC645N-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Podroben opis:
N-Channel 30 V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Zaloga:
3709 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12846518
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDC645N Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.5A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
26mOhm @ 6.2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
21 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1460 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.6W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SuperSOT™-6
Paket / Primer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Osnovna številka izdelka
FDC645
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
FDC645NDKR
FAIFSCFDC645N
2156-FDC645N-OS
FDC645NTR
FDC645N-DG
FDC645NCT
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
