FDW258P

Številka izdelka proizvajalca:

FDW258P

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDW258P-DG

Opis:

MOSFET P-CH 12V 9A 8TSSOP

Podroben opis:

P-Channel 12 V 9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

12846528

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

FDW258P Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

onsemi

Pakiranje

-

Serije

PowerTrench®

Stanje izdelka

Obsolete

Vrsta FET

P-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

12 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

9A (Ta)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

1.8V, 4.5V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

11mOhm @ 9A, 4.5V

vgs(th) (maks) @ id

1.5V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

73 nC @ 4.5 V

Vgs (maks)

±8V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

5049 pF @ 5 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

1.3W (Ta)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

8-TSSOP

Paket / Primer

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Osnovna številka izdelka

FDW25

Dodatne informacije

Standardni paket

2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

alpha-and-omega-semiconductor

AOW10N60

MOSFET N-CH 600V 10A TO262

onsemi

FDD13AN06A0

MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK

onsemi

FDMC8878

MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP

onsemi

FDS3570

MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC