FDD6512A
Številka izdelka proizvajalca:

FDD6512A

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDD6512A-DG

Opis:

MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK
Podroben opis:
N-Channel 20 V 10.7A (Ta), 36A (Tc) 3.8W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Zaloga:

12848114
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FDD6512A Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10.7A (Ta), 36A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
21mOhm @ 10.7A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1082 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.8W (Ta), 43W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252AA
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
FDD651

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket
2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
onsemi

NTD5806NT4G

MOSFET N-CH 40V 33A DPAK

onsemi

NTMFS5C673NLT3G

MOSFET N-CH 60V 5DFN

onsemi

FDN359AN

MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3

onsemi

FDMS8670S

MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN