FDD6512A

Številka izdelka proizvajalca:

FDD6512A

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDD6512A-DG

Opis:

MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK

Podroben opis:

N-Channel 20 V 10.7A (Ta), 36A (Tc) 3.8W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

12848114

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

FDD6512A Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

onsemi

Pakiranje

-

Serije

PowerTrench®

Stanje izdelka

Obsolete

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

20 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

10.7A (Ta), 36A (Tc)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

2.5V, 4.5V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

21mOhm @ 10.7A, 4.5V

vgs(th) (maks) @ id

1.5V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

19 nC @ 4.5 V

Vgs (maks)

±12V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

1082 pF @ 10 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

3.8W (Ta), 43W (Tc)

Delovna temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

TO-252AA

Paket / Primer

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Osnovna številka izdelka

FDD651

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list

Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket

2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

onsemi

NTD5806NT4G

MOSFET N-CH 40V 33A DPAK

onsemi

NTMFS5C673NLT3G

MOSFET N-CH 60V 5DFN

onsemi

FDN359AN

MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3

onsemi

FDMS8670S

MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN