FDD6672A

Številka izdelka proizvajalca:

FDD6672A

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDD6672A-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 65A TO252

Podroben opis:

N-Channel 30 V 65A (Ta) 3.2W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

12850041

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

FDD6672A Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

onsemi

Pakiranje

-

Serije

PowerTrench®

Stanje izdelka

Obsolete

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

30 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

65A (Ta)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

4.5V, 10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

8mOhm @ 14A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

2V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

46 nC @ 4.5 V

Vgs (maks)

±12V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

5070 pF @ 15 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

3.2W (Ta), 70W (Tc)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

TO-252AA

Paket / Primer

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Osnovna številka izdelka

FDD667

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list

Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket

2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

onsemi

FQA10N60C

MOSFET N-CH 600V 10A TO3P

onsemi

FQI27N25TU

MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK

onsemi

FCPF190N60

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F

alpha-and-omega-semiconductor

AON6268

MOSFET N-CH 60V 44A 8DFN