Številka izdelka proizvajalca:
FDD8880
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDD8880-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Podroben opis:
N-Channel 30 V 13A (Ta), 58A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Zaloga:
13967 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12846733
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDD8880 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
13A (Ta), 58A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1260 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
55W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252AA
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
FDD888
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
FDD8880TR
FDD8880CT
2156-FDD8880-OS
FDD8880DKR
FAIFSCFDD8880
FDD8880-DG
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
HUF75617D3ST
MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
FDC855N
MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
AOTF240L
MOSFET N-CH 40V 20A/85A TO220-3F
