FDG314P
Številka izdelka proizvajalca:

FDG314P

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDG314P-DG

Opis:

MOSFET P-CH 25V 650MA SC88
Podroben opis:
P-Channel 25 V 650mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

Zaloga:

12848108
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FDG314P Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
25 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
650mA (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.7V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
63 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
750mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SC-88 (SC-70-6)
Paket / Primer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Osnovna številka izdelka
FDG314

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
NTJS4151PT1G
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
10423
ŠTEVILKA DELA
NTJS4151PT1G-DG
CENA ENOTE
0.08
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
onsemi

CPH6350-TL-W

MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH

onsemi

FDZ294N

MOSFET N-CH 20V 6A 9BGA

alpha-and-omega-semiconductor

AOT42S60L

MOSFET N-CH 600V 37A TO220

onsemi

FDD6512A

MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK